4008-110044
產(chǎn)品性能：
◆全自動：盒到盒（Cassette To Cassette）
◆模塊化設(shè)計,SEMI標準
◆滿足4～8/12英吋晶圓工藝
◆每臺1～4/5管，石英/SiC反應(yīng)管
◆恒溫區(qū)：800/1000/1250mm
◆溫度：200～1300℃/1350℃
◆全自動機械手裝卸，懸臂/軟著陸
◆高集成度，完整的工廠MES系統(tǒng)對接
配套工藝：
◆低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備LPCVD：
根據(jù)用戶需求低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備是否使用完整功能
可進行工藝有多晶硅P-Si，氮化硅Si3N4，1100℃退火，氧化硅SiO2，磷硅玻璃PSG，硼磷硅玻璃BPSG，TEOS，LTO，HTO，SIPOS...
沉積 Si3N4 膜厚均勻性: 片內(nèi)（WIW）≤±5%、片間（WTW）≤±5%、批間（RTR）≤±2%
工藝可用基片材料
150mm Si Notch Wafer（厚675±25μm，重約27g）、
150mm GaAs Notch Wafer（厚675±25μm，重約64g）、
150mm GaN-on-SiC Notch Wafer（厚500±25μm，重約28g）、
100mm Si Flat Wafer（厚525±25μm，重約13g）、
100mm GaN-on-SiC Flat Wafer（厚500±25μm，重約17g）
設(shè)備具備完善的報警和安全互鎖功能，包括但不限于真空、氣體泄漏、運動部件、工藝異常、漏電等；
工藝異常會停止工藝，關(guān)閉射頻電源及供氣，以保證人員及設(shè)備安全；
◆擴散爐：氣態(tài)/液態(tài)/固態(tài)源磷硼擴散
◆氧化爐：干氧/濕氧（DCE，HCL）
◆氮、氫退火，燒結(jié)、合金、固化等
◆鎵、鋁擴散，LP POCl3
◆PECVD工藝：氮化硅、氧化硅等。
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